導電薄膜的電阻檢測新技術-渦流法電阻測量儀
針對手提式薄膜方塊電阻測試儀在使用中容易出現的問題,進行分析研究,提出了解決方案,并在實驗中得到實現.研究的問題包括:電池供電的電壓監測;探頭*與被測樣品接觸良好的檢測;防止探針對被測樣品造成電擊穿;測量時自動進行量程轉換等。
相關(硅,多晶硅,碳化硅等)半導體/太陽能電池材料
的新材料/相關功能性材料(碳納米管,DLC,石墨烯,銀納米線等)
導電薄膜相關的(金屬,ITO等)
硅基外延離子注入的樣品
化合物與半導體有關的(GaAs Epi,GaN Epi,InP,Ga等)
其他(*請與我們聯xi)
無論樣品大小和形狀如何均可進行測量(但是,大于20mmφ且表面平坦)
[電阻率] 1 m至200Ω·cm
(*所有探頭類型的總范圍/厚度500 um)
[抗熱阻] 10 m至3 kΩ/ sq
(*所有探頭類型的總范圍)
*有關每種探頭類型的測量范圍,請參閱以下內容。
(1)低:0.01至0.5Ω/□(0.001至
0.05Ω- cm)(2)中:0.5至10Ω/□(0.05至0.5Ω-cm)
(3 ))高:10至1000Ω/□( 0.5至60Ω-??cm)
(4)S高:1000至3000Ω/□(60至200Ω-cm)
(5)太陽能晶片:5至500Ω/□(0. 2至15Ω-cm)